· 2026-10-12 전체

삼성이 시제품만 보여준 차세대 D램, 중국 창신이 연말에 먼저 팔겠다고 했다

삼성이 2월에 시제품을 공개하고 상용화는 2028년 전후로 보는 차세대 D램을, 중국 창신메모리(CXMT)가 올해 말 서버용 제품으로 먼저 내겠다고 했다. 같은 칩 면적에 메모리를 30~50% 더 넣는 4F² 구조다.

용량·속도·수율·고객 인증 일정은 공개하지 않았다. 비리비리 최다 댓글은 "그럼 대가는?"이었고, 답글은 "원가와 수율".

출처: 지치즈신 10/10, 이코노미트리뷴 10/11, 글로벌타임스 10/11

창신 총재의 발표

창신메모리 총재 차오칸위(曹堪宇)는 10월 9일 이틀 일정으로 열린 제4회 집적칩·칩렛 대회에서 4F² D램 아키텍처 연구가 핵심 단계에 들어섰다고 밝혔다. 이 구조를 쓴 서버용 DDR5 RDIMM을 연말에 내놓겠다고 했다.

발표 내용은 세 가지 기술이다.

창신은 4F² 관련 공개 특허군이 300건을 넘고, 2021·2023·2025년에 관련 논문을 냈다고 밝혔다. 하이브리드 본딩은 2019년부터 자체 개발했고, 2025년 IEDM에서 12인치 웨이퍼로 D램과 CMOS 웨이퍼를 붙이는 실험 결과를 발표했다.

제품 용량, 속도, 전압, 수율, 샘플 출하 여부, 서버 고객 인증 일정은 발표에 없었다.

삼성과 SK하이닉스의 4F² 일정

삼성전자는 2026년 2월 ISSCC에서 수직 채널 트랜지스터(VCT) 기반 4F² 셀과 웨이퍼 하이브리드 본딩을 함께 쓴 16Gb D램 시제품을 공개했다. 주변 회로 위에 셀을 올린 구조(COP)로, 같은 설계 규칙에서 웨이퍼당 칩 수가 20% 이상 늘어난다고 했다. 이코노미트리뷴에 따르면 삼성은 하이브리드 본딩을 먼저 적용하는 쪽으로 전략을 바꿨고, 이 기술을 쓴 차세대 D램 상용화는 이르면 2028년 전후로 예상된다. 4F²와 하이브리드 본딩을 함께 쓴 제품의 양산 일정은 나오지 않았다.

SK하이닉스는 수직 게이트(VG) 방식 4F² D램을 개발 중이며, 적용 시점은 10나노 이하 공정(0a) 이후로 거론된다.

미국 하드웨어 매체 Wccftech는 삼성이 2028년에 4F²를 도입할 계획이라는 X 게시물을 인용해, 창신의 연말 출시가 삼성보다 약 2년 빠르다고 썼다. 같은 기사는 창신의 첫 4F² 제품이 5세대(G5, 15나노급) 공정 위에서 구조 일부만 적용한 파생형일 가능성이 높다고 봤다.

창신의 서버 D램 매출

창신의 매출 대부분은 스마트폰용이다. 모회사 상장 신고서에 따르면 2025년 서버 D램 매출은 약 159.7억 위안(약 3조 2천억원)으로 전년의 8.3배였다. 주요 D램 매출에서 서버 비중은 2024년 8.39%에서 2025년 26.51%로 올랐고, 모바일은 60.4%였다.

글로벌타임스가 인용한 2026년 2분기 D램 점유율은 삼성 39%, SK하이닉스 26%, 마이크론 25%다. 카운터포인트리서치는 창신 점유율을 10%로 본다. HBM에서는 격차가 크다. 세미애널리시스는 창신의 8단 HBM3 수율을 약 25%, SK하이닉스를 90% 이상으로 추정했다.

Wccftech에 따르면 창신은 연말까지 월 30만 장(웨이퍼 기준) 생산능력을 갖추고, 상하이·허페이 신규 공장 두 곳이 완공되면 월 60만 장으로 늘린다는 계획이다.

즈후와 비리비리 반응

즈후 질문 「창신 4F² 진전, 무슨 의미인가」(조회 약 6,600)에는 기대와 회의가 섞였다.

비리비리 「국산 D램 중대 돌파」 영상(조회 7,182) 댓글은 더 짧았다.

연말 제품에서 볼 것

4F²는 6F² 다음 세대 D램 셀 구조로, 삼성은 시제품을 공개했고 SK하이닉스는 개발 중이다. 창신이 연말에 서버 고객 인증을 통과한 4F² 모듈을 출하하면 이 구조를 제품으로 처음 내놓은 회사가 된다. 출시 때 나올 용량·속도 사양, 4F²가 셀 어레이 전체에 쓰였는지 여부, 인텔·AMD 서버 플랫폼 인증 목록이 이 발표가 제품 단계에 들어섰는지를 보여 준다.

출처